Hersteller Produktnummer:
TSM650P02CX RFG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM650P02CX RFG-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventar:
70113 Stück Neu Original Auf Lager
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TSM650P02CX RFG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
515 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.56W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
TSM650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TSM650P02CX RFGCT
TSM650P02CXRFGCT
TSM650P02CX RFGDKR
TSM650P02CXRFGTR
TSM650P02CXRFGDKR
TSM650P02CX RFGCT-DG
TSM650P02CX RFGDKR-DG
TSM650P02CX RFGTR
TSM650P02CX RFGTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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